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HY5DS113222FM-28

更新时间: 2024-02-02 13:17:14
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海力士 - HYNIX 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
30页 432K
描述
512M(16Mx32) GDDR SDRAM

HY5DS113222FM-28 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.88访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):350 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:S-PBGA-B144
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA144,12X12,32封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.3 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.05 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.81 mA最大供电电压 (Vsup):2.1 V
最小供电电压 (Vsup):1.75 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12 mm
Base Number Matches:1

HY5DS113222FM-28 数据手册

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HY5DS113222FM(P)  
512M(16Mx32) GDDR SDRAM  
HY5DS113222FM(P)  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-  
sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.1 / Oct. 2004  
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