生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ246(S)TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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2SJ246L | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ246S | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ247 | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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2SJ247 | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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2SJ247-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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