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93LC56AXI/ST

更新时间： 2024-01-21 14:50:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 390K
描述
2K Microwire Compatible Serial EEPROM

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93LC56AXI/ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
Is Samacsys：N其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：10000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.00003 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

93LC56AXI/ST 数据手册

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93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C, 93C56A/B/C  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
VCC = range by device (see Table on Page 1)  
Industrial (I): TA = -40°C to +85°C  
Automotive (E): TA = -40°C to +125°C  
All parameters apply over the specified  
ranges unless otherwise noted.  
Param.  
No.  
Symbol  
Parameter  
Clock frequency  
Min  
Max  
Units  
Conditions  
A1  
FCLK  
—
3
2
1
MHz 4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX56C only  
MHz 2.5V ≤ VCC < 5.5V  
MHz 1.8V ≤ VCC < 2.5V  
A2  
A3  
A4  
TCKH  
TCKL  
TCSS  
Clock high time  
200  
250  
450  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX56C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Clock low time  
100  
200  
450  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX56C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Chip Select setup time  
50  
100  
250  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
A5  
A6  
A7  
TCSH  
TCSL  
TDIS  
Chip Select hold time  
Chip Select low time  
Data input setup time  
0
—
—
—
ns  
ns  
1.8V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 5.5V  
250  
50  
100  
250  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX56C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
A8  
A9  
TDIH  
TPD  
Data input hold time  
50  
100  
250  
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX56C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Data output delay time  
—
200  
250  
400  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF  
2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF  
1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF  
A10  
A11  
TCZ  
TSV  
Data output disable time  
Status valid time  
—
—
100  
200  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, (Note 1)  
1.8V ≤ VCC < 4.5V, (Note 1)  
200  
300  
500  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF  
2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF  
1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF  
A12  
A13  
TWC  
TWC  
Program cycle time  
—
—
6
ms  
Erase/Write mode (AA and LC  
versions)  
2
ms  
Erase/Write mode  
(93C versions)  
A14  
A15  
A16  
TEC  
TWL  
—
—
—
6
ms  
ms  
ERAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V  
WRAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V  
15  
—
Endurance  
1M  
cycles 25°C, VCC = 5.0V, (Note 2)  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: This application is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance™ Model which may be obtained from  
www.microchip.com.  
2003 Microchip Technology Inc.  
DS21794B-page 3  
1234567...24

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