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93LC56ASN

更新时间: 2024-02-21 18:33:15
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 390K
描述
2K Microwire Compatible Serial EEPROM

93LC56ASN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.17
Is Samacsys:N其他特性:100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度:8最大时钟频率 (fCLK):2 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:10000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
串行总线类型:MICROWIRE最大待机电流:0.00003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.003 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms写保护:SOFTWARE
Base Number Matches:1

93LC56ASN 数据手册

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93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C, 93C56A/B/C  
FIGURE 1-1:  
SYNCHRONOUS DATA TIMING  
VIH  
VIL  
VIH  
CS  
TCSS  
TCKH  
TCKL  
TCSH  
CLK  
DI  
VIL  
TDIS  
TDIH  
VIH  
VIL  
TCZ  
TCZ  
TPD  
TPD  
VOH  
DO  
(READ)  
VOL  
VOH  
TSV  
DO  
(PROGRAM)  
STATUS VALID  
VOL  
Note: TSV is relative to CS.  
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X 16 ORGANIZATION (93XX56B OR 93XX56C WITH ORG = 1)  
Instruction  
SB Opcode  
Address  
Data In  
Data Out Req. CLK Cycles  
ERASE  
ERAL  
EWDS  
EWEN  
READ  
WRITE  
WRAL  
1
1
1
1
1
1
1
11  
00  
00  
00  
10  
01  
00  
X
1
0
1
X
X
0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
HIGH-Z  
11  
11  
11  
11  
27  
27  
27  
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z  
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
D15 – D0  
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15 – D0 (RDY/BSY)  
D15 – D0 (RDY/BSY)  
1
X
X
X
X
X
X
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X 8 ORGANIZATION (93XX56A OR 93XX56C WITH ORG = 0)  
Req. CLK  
Instruction  
SB Opcode  
Address  
Data In  
Data Out  
Cycles  
ERASE  
ERAL  
EWDS  
EWEN  
READ  
WRITE  
WRAL  
1
1
1
1
1
1
1
11  
00  
00  
00  
10  
01  
00  
X
1
0
1
X
X
0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
HIGH-Z  
12  
12  
12  
12  
20  
20  
20  
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z  
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
D7 – D0  
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7 – D0 (RDY/BSY)  
D7 – D0 (RDY/BSY)  
1
X
X
X
X
X
X
X
DS21794B-page 4  
2003 Microchip Technology Inc.  

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