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93LC46I/SN

更新时间： 2024-01-28 01:41:32

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20页	383K
描述
1K/2K/4K 2.5 V Serial EEPROM(397.55 k)

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93LC46I/SN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	3 WIRE INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; ERAL AT 4.5V TO 6.0V	备用内存宽度：	8
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	4.9 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	64 words	字数代码：	64
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

93LC46I/SN 数据手册

93LC46/56/66

FIGURE 2-3:

EWDS TIMING

CLK

•••

FIGURE 2-4:

WRITE TIMING

CLK

A0 Dx

•••

HIGH-Z

BUSY

READY

FIGURE 2-5:

WRAL TIMING

CLK

•••

BUSY

HIGH-Z

READY

HIGH-Z

Ensured by Characterization at VCC = 4.5V to +5.5V.

DS21712A-page 8

2002 Microchip Technology Inc.

1...5 6 789 10 11...20

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