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93AA46A-I/ST

更新时间： 2024-02-29 19:36:46
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
24页 388K
描述
1K Microwire Compatible Serial EEPROM

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93AA46A-I/ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度：8最大时钟频率 (fCLK)：2 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：64 words
字数代码：64工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：TS 16949
座面最大高度：1.75 mm串行总线类型：MICROWIRE
最大待机电流：0.00003 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.001 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.91 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

93AA46A-I/ST 数据手册

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93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
VCC = range by device (see Table on Page 1)  
Industrial (I): TA = -40°C to +85°C  
Automotive (E): TA = -40°C to +125°C  
All parameters apply over the specified  
ranges unless otherwise noted.  
Param. No. Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
Conditions  
A1  
A2  
A3  
A4  
FCLK  
TCKH  
TCKL  
TCSS  
Clock frequency  
—
3
2
1
MHz 4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX46C only  
MHz 2.5V ≤ VCC < 5.5V  
MHz 1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Clock high time  
200  
250  
450  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX46C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Clock low time  
100  
200  
450  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX46C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Chip Select setup time  
50  
100  
250  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
A5  
A6  
A7  
TCSH  
TCSL  
TDIS  
Chip Select hold time  
Chip Select low time  
Data input setup time  
0
—
—
—
ns  
ns  
ns  
1.8V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 5.5V  
250  
50  
100  
250  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX46C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
A8  
A9  
TDIH  
TPD  
Data input hold time  
50  
100  
250  
—
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, 93XX46C only  
2.5V ≤ VCC < 5.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Data output delay time  
—
—
—
200  
250  
400  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF  
2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF  
1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF  
A10  
A11  
TCZ  
TSV  
Data output disable time  
Status valid time  
—
—
100  
200  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, (Note 1)  
1.8V ≤ VCC < 4.5V, (Note 1)  
—
200  
300  
500  
4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF  
2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF  
1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF  
A12  
TWC  
Program cycle time  
—
6
ms  
Erase/Write mode (AA and LC  
versions)  
A13  
A14  
A15  
A16  
TWC  
TEC  
TWL  
—
—
—
2
6
ms  
ms  
ms  
Erase/Write mode (93C versions)  
ERAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V  
WRAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V  
—
15  
—
Endurance  
1M  
cycles 25°C, VCC = 5.0V, (Note 2)  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: This application is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance™ Model which may be obtained from www.microchip.com.  
2003 Microchip Technology Inc.  
DS21749D-page 3  
1234567...24

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