| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | E-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.65 | 其他特性： | LOW LEAKAGE CURRENT |
| 应用： | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 70 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3.7 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.25 µs | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 934015300112 | NXP |
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DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| 934015310112 | NXP |
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DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| 934015320112 | NXP |
获取价格 |
DIODE 1650 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| 934015400127 | NXP |
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12A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SOT-199, 3 PIN |
|
| 934015430215 | NXP |
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6.2V, 0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
|
| 934015540113 | NXP |
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DIODE 0.3 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| 934015540133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode |
|
| 934015540143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.3 A, 2000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 934015620112 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 750 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT1 |
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| 934015630112 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 750 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, SO |
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