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844011AGLF

更新时间： 2024-02-26 23:36:37
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数 文件大小 规格书
14页 1018K
描述
FemtoClock Crystal-to-LVDS Clock Generator

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844011AGLF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.3
其他特性：ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLYJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.4 mm
湿度敏感等级：1端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
最大输出时钟频率：113.33 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
主时钟/晶体标称频率：28.3 MHz认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Clock Generators
最大供电电压：2.625 V最小供电电压：2.375 V
标称供电电压：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：CLOCK GENERATOR, OTHERBase Number Matches：1

844011AGLF 数据手册

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ICS844011 Data Sheet  
FEMTOCLOCK® CRYSTAL-TO-LVDS CLOCK GENERATOR  
Absolute Maximum Ratings  
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.  
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond  
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for  
extended periods may affect product reliability.  
Item  
Rating  
Supply Voltage, VDD  
4.6V  
Inputs, VI  
XTAL_IN  
Other Input  
0V to VDD  
-0.5V to VDD + 0.5V  
Outputs, IO  
Continuous Current  
Surge Current  
10mA  
15mA  
Package Thermal Impedance, θJA  
129.5°C/W (0 mps)  
-65°C to 150°C  
Storage Temperature, TSTG  
DC Electrical Characteristics  
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V 5%, TA = 0°C to 70°C  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
3.135  
Typical  
3.3  
Maximum  
3.465  
VDD  
Units  
V
Core Supply Voltage  
Analog Supply Voltage  
Power Supply Current  
Analog Supply Current  
VDDA  
IDD  
VDD – 0.12  
3.3  
V
108  
mA  
mA  
IDDA  
12  
Table 4B. Power Supply DC Characteristics, VDD = 2.5V 5%, TA = 0°C to 70°C  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
2.375  
Typical  
2.5  
Maximum  
2.625  
VDD  
Units  
V
Core Supply Voltage  
Analog Supply Voltage  
Power Supply Current  
Analog Supply Current  
VDDA  
IDD  
VDD – 0.12  
2.5  
V
102  
mA  
mA  
IDDA  
12  
Table 4C. LVCMOS/LVTTL Input DC Characteristics, VDD = 3.3V 5% or 2.5V 5%, TA = 0°C to 70°C  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
VDD = 3.3V  
Minimum  
Typical  
Maximum  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
0.8  
Units  
V
2
VIH Input High Voltage  
VDD = 2.5V  
1.7  
-0.3  
-0.3  
V
V
DD = 3.3V  
DD = 2.5V  
V
VIL  
Input Low Voltage  
V
0.7  
V
IIH  
IIL  
Input High Current  
Input Low Current  
OE  
OE  
VDD = VIN = 3.465V or 2.625V  
5
µA  
µA  
VDD = 3.465V or 2.625V, VIN = 0V  
-150  
ICS844011AG REVISION A AUGUST 27, 2012  
3
©2012 Integrated Device Technology, Inc.  
1234567...14

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