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Datasheet > 微控制器和处理器 > 时钟发生器> 841S012DKILF
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841S012DKILF

更新时间： 2024-02-19 21:09:05
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 晶体时钟发生器微控制器和处理器外围集成电路PC
页数 文件大小 规格书
22页 187K
描述
Crystal-to-0.7V Differential HCSL/LVCMOS Frequency Synthesizer

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841S012DKILF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：VFQFPN
包装说明：HVQCCN, LCC56,.31SQ,20针数：56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.29
JESD-30 代码：S-XQCC-N56JESD-609代码：e3
长度：8 mm湿度敏感等级：3
端子数量：56最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出时钟频率：250 MHz
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC56,.31SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V主时钟/晶体标称频率：25 MHz
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
子类别：Clock Generators最大压摆率：300 mA
最大供电电压：3.465 V最小供电电压：3.135 V
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：8 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：CLOCK GENERATOR, OTHERBase Number Matches：1

841S012DKILF 数据手册

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ICS841S012DI Data Sheet  
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER  
TABLE 6. AC CHARACTERISTICS, VDD =VDD_REFOUT = VDDOB =VDDOC = 3.3V 5ꢀ, TA = -40°C TO 85°C  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
Minimum Typical Maximum Units  
QB[0:6]  
33.33  
100  
200  
250  
200  
50  
MHz  
MHz  
MHz  
ps  
fOUT  
Output Frequency  
QA[0:1]/nQA[0:1]  
QC  
33.33  
QB[0:6]  
Bank Skeꢁ;  
NOTE 1, 2  
tsk(b)  
QA[0:1]/nQA[0:1]  
50  
ps  
across Banks B and C  
(at Same Frequency)  
All Outputs at Same  
Frequency  
tsk(o)  
tjit(cc)  
Output Skeꢁ; NOTE 1, 3  
Cycle-to-Cycle  
160  
65  
ps  
ps  
QA[0:1]/nQA[0:1]  
Jitter; NOTE 1  
QA[0:1]/nQA[0:1]  
QB[0:6]  
10  
20  
20  
ps  
ps  
ps  
REF_OE = 0, All Outputs  
at Same Frequency  
tjit(per)  
RMS Period Jitter  
QC  
SSC Modulation  
Frequency  
FM  
Banks A, B, C  
29  
33.33  
1200  
kHz  
VHIGH  
VLOW  
Voltage High; NOTE 4, 5  
Voltage Loꢁ; NOTE 4, 6  
580  
mV  
mV  
-150  
Absolute Crossing Voltage;  
NOTE 4, 7, 8  
Total Variation of VCROSS over all  
edges; NOTE 4, 7, 9  
VCROSS  
200  
600  
200  
mV  
mV  
ΔVCROSS  
Bank A  
150mV from crosspoint  
20ꢀ - 80ꢀ  
25  
0.4  
45  
42  
100  
1.3  
55  
ps  
ns  
ꢀ
ꢀ
Output Rise/Fall  
Time  
tR / tF  
odc  
Banks B, C  
Bank A  
Output Duty Cycle  
Banks B, C  
58  
NOTE: Electrical parameters are guaranteed over the specified ambient operating temperature range, ꢁhich is established  
ꢁhen the device is mounted in a test socket ꢁith maintained transverse airfloꢁ greater than 500 lfpm. The device ꢁill meet  
specifications after thermal equilibrium has been reached under these conditions.  
NOTE 1: This parameter is defined in accordance ꢁith JEDEC Standard 65.  
NOTE 2: Defined as skeꢁ ꢁithin a bank of outputs at the same supply voltage and ꢁith equal load conditions.  
NOTE 3: Defined as skeꢁ betꢁeen outputs at the same supply voltages and ꢁith equal load conditions.  
Measured at VDDOB, C/2.  
NOTE 4: Measurement taken from single-ended ꢁaveform.  
NOTE 5: Defined as the maximum instantaneous voltage including overshoot. See Parameter Measurement Information  
Section.  
NOTE 6: Defined as the minimum instantaneous voltage including undershoot. See Parameter Measurement Information  
Section.  
NOTE 7: Measured at crossing point ꢁhere the instantaneous voltage value of the rising edge of Qx equals the falling edge  
of nQx. See Parameter Measurement Information Section.  
NOTE 8: Refers to the total variation from the loꢁest crossing point to the highest, regardless of ꢁhich edge is crossing.  
Refers to all crossing points for this measurement. See Parameter Measurement Information Section.  
NOTE 9: Defined as the total variation of all crossing voltage of rising Qx and falling nQx. This is the maximum alloꢁed  
variance in the VCROSS for any particular system. See Parameter Measurement Information Section.  
ICS841S012DKI REVISION A JULY 20, 2009  
7
©2009 Integrated Device Technology, Inc.  
1...45678910...22

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