80EPF04S

更新时间： 2024-01-20 10:17:09

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 400V V(RRM), Silicon,

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80EPF04S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSFM-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	700 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	80 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.18 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

80EPF04S 数据手册

80EPF.. QUIETIR Series

Bulletin I2110 rev. A 06/97

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

At Any Ra te d Lo a d C o n d itio n And With

Ma ximum Non Rep e titive Surg e Curre nt

Ra te d

Ap p lie d Fo llo wing Su rg e.

Ve rsus Pulse Tra in Dura t io n.

900

800

700

600

500

400

300

200

RRM

Initia l T = 150°C

No Volta g e Re a pp lie d

@ 60 Hz 0.0083 s

@ 50 Hz 0.0100 s

Ra te d V

Re a pp lie d

RRM

80EPF.. Se rie s

100

0.01

0.1

Pulse Tra in Dura tio n (s)

Fig.6-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent

Numbe r O f Equa l Amp litud e Ha lf Cyc le Curre nt Pulse s (N)

Fig.5-MaximumNon-RepetitiveSurgeCurrent

1000

100

T = 25°C

T = 150°C

80EPF.. Se ries

0.5

1.5

2.5

3.5

Insta n ta n eo us Fo rwa rd Volta g e (V)

Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics

0.22

0.2

0.6

= 125 A

80EPF.. Se rie s

= 150°C

80 A

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

40 A

0.18

0.16

0.14

0.12

0.1

FM = 80 A

40 A

20 A

10 A

20 A

10 A

0.08

0.06

0.04

1 A

80EPF.. Se rie s

= 25°C

120

160

200

120

160

200

Ra te O f Fa ll O f Fo rwa rd C urre nt - d i/d t (A/ µs)

Fig. 8-RecoveryTimeCharacteristics, T_J=25°C

Ra te Of Fa ll O f Fo rwa rd C urre nt - d i/d t (A/ µs)

Fig.9-RecoveryTimeCharacteristics,T_J=150°C

1 2 345 6 7

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