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80EBU04PBF

更新时间： 2024-02-18 09:32:41

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描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, Silicon, POWIRTAB-2

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技术参数
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80EBU04PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSFM-X1	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.46
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流：	800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	80 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.06 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

80EBU04PBF 数据手册

80EBU04

Bulletin PD-20742 rev. C 02/06

180

160

140

120

140

120

100

RMS Limit

D = 0.01

D = 0.02

D = 0.05

D = 0.10

D = 0.20

D = 0.50

100

Square wave (D = 0.50)

80% Rated Vr applied

see note (3)

80 100 120

Average Forward Current - IF_(AV)(A)

Fig.5-Max. Allowable CaseTemperature

Vs. Average Forward Current

Fig.6-Forward Power Loss Characteristics

250

200

150

100

4500

Vr = 200V

Tj = 125˚C

Tj = 25˚C

Vr = 200V

Tj = 125˚C

Tj = 25˚C

4000

3500

IF = 160A

IF = 80A

IF = 40A

3000

2500

2000

1500

1000

500

IF = 160A

IF = 80A

IF = 40A

100

1000

di _F/dt (A/µs)

di_F/dt (A/µs)

Fig.8-TypicalStoredCharge vs.di_F/dt

Fig.7-TypicalReverseRecovery timevs.di _F/dt

(3) Formulaused:T_C=T_J-(Pd+Pd_REV)xR_thJC

;

Pd=ForwardPowerLoss=I_F(AV)xV_FM@(I_F(AV)/D) (seeFig.6);

Pd_REV=InversePowerLoss=V_R1xI_R(1-D); I_R@V_R1=80%ratedV_R

www.irf.com

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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