80EBU04

更新时间： 2024-01-15 00:06:17

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Ultrafast Soft Recovery Diode

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80EBU04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSFM-X1	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.46
应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流：	800 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	80 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.06 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

80EBU04 数据手册

80EBU04

Bulletin PD-20742 rev. B 07/01

Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified)

Parameters

Min Typ Max Units Test Conditions

V_BR, V_r

V_F

Breakdown Voltage,

Blocking Voltage

400

I_R= 100µA

Forward Voltage

1.1 1.3

I_F= 80A

0.92 1.08

I_F= 80A, T_J= 175°C

0.98 1.15

I_F= 80A, T_J= 125°C

I_R

Reverse Leakage Current

µA

V_R= V_RRated

T_J= 150°C, V_R= V_RRated

V_R= 200V

C_T

L_S

Junction Capacitance

Series Inductance

3.5

Measured lead to lead 5mm from package body

Dynamic Recovery Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified)

Parameters

Min Typ Max Units Test Conditions

t_rr

Reverse Recovery Time

I_F= 1A, di_F/dt = 200A/µs, V_R= 30V

I_F= 80A

T_J= 25°C

T_J= 125°C

T_J= 25°C

T_J= 125°C

T_J= 25°C

T_J= 125°C

V_R= 200V

di_F/dt = 200A/µs

151

9.3

I_RRM

Peak Recovery Current

17.2

405

1300

Q_rr

Reverse Recovery Charge

Thermal - Mechanical Characteristics

Parameters

Min

Typ

Max

Units

R_thJC

R_thCS

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Case to Heatsink

Weight

0.70

K/W

0.2

5.02

0.18

(oz)

Mounting Torque

1.2

2.4

N * m

lbf.in

#"Mounting Surface, Flat, Smooth and Greased

www.irf.com

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