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80EBU02

更新时间： 2024-01-07 23:51:59
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威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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7页 117K
描述
Ultrafast Soft Recovery Diode, 80 A FRED PtTM

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80EBU02 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：POWIRTAB-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.45应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-X1最大非重复峰值正向电流：800 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：80 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

80EBU02 数据手册

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80EBU02  
Vishay High Power Products  
Ultrafast Soft Recovery Diode,  
80 A FRED PtTM  
FEATURES  
• Ultrafast recovery  
• 175 °C operating junction temperature  
RoHS  
• Screw mounting only  
COMPLIANT  
• Lead (Pb)-free plating  
Cathode  
Anode  
• Designed and qualified for industrial level  
BENEFITS  
PowerTabTM  
• Reduced RFI and EMI  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
• Reduced parts count  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION/APPLICATIONS  
trr  
IF(AV)  
VR  
35 ns  
80 A  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems.  
The softness of the recovery eliminates the need for a  
snubber in most applications. These devices are ideally  
suited for HF welding, power converters and other  
applications where switching losses are not significant  
portion of the total losses.  
200 V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
200  
80  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
Continuous forward current  
Single pulse forward current  
Maximum repetitive forward current  
VR  
V
IF(AV)  
IFSM  
TC = 112 °C  
TC = 25 °C  
800  
160  
A
IFRM  
Square wave, 20 kHz  
Operating junction and  
storage temperatures  
TJ, TStg  
- 55 to 175  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX. UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
Vr  
,
IR = 50 µA  
IF = 80 A  
200  
-
-
V
-
-
-
-
-
-
0.98  
0.79  
-
1.13  
Forward voltage  
VF  
IR  
I
F = 80 A, TJ = 175 °C  
0.92  
VR = VR rated  
50  
2
-
µA  
mA  
pF  
Reverse leakage current  
TJ = 150 °C, VR = VR rated  
VR = 200 V  
-
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
89  
3.5  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
-
nH  
Document Number: 93024  
Revision: 30-Oct-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
1234567

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