7MBP150RA120

更新时间： 2024-02-24 14:06:04

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富士电机 - FUJI		双极性晶体管
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8页	373K
描述
IGBT-IPM(1200V/150A)

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7MBP150RA120 数据手册

7MBP150RA120

IGBT-IPM

Brake

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

Tj=25°C

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

Tj=125°C

Vcc=15V

Vcc=17V

Vcc=13V

0.5

1.5

2.5

0.5

1.5

2.5

Collector-Emitter voltage : Vce (V)

Reversed biased safe operating area

Vcc=15V,Tj 125°C

Transient thermal resistance

700

600

500

400

300

200

100

IGBT

0.1

SCSOA

(non-repetitive pulse)

RBSOA

(Repetitive pulse)

0.01

200

400

600

800

1000

1200

1400

0.001

0.01

0.1

Collector-Emitter voltage : Vce (V)

Pulse width :Pw (sec)

Power derating for IGBT

(per device)

Over current protection vs. Junction temperature

Vcc=15V

200

400

350

300

250

200

150

100

150

100

120

140

160

100

120

140

Case Temperature : Tc (°C)

Junction temperature : Tj(°C)

1...5 6 78

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