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74HC670DB

更新时间: 2024-01-14 20:48:22
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 77K
描述
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 59 ns, PDSO16, Static RAM

74HC670DB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SSOP, SSOP16,.3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.59
最长访问时间:59 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
JESD-609代码:e4长度:6.2 mm
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装等效代码:SSOP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/6 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2 mm
子类别:Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:5.3 mmBase Number Matches:1

74HC670DB 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
4 x 4 register file; 3-state  
74HC/HCT670  
AC CHARACTERISTICS FOR 74HCT  
GND = 0 V; tr = tf = 6 ns; CL = 50 pF  
Tamb (°C)  
TEST CONDITIONS  
74HCT  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNIT  
VCC  
(V)  
+25  
40 to +85 40 to +125  
WAVEFORMS  
min. typ. max. min. max. min. max.  
tPHL/ tPLH propagation delay  
RA, RB to Qn  
21  
28  
27  
18  
19  
5
40  
50  
50  
35  
35  
12  
50  
63  
63  
44  
44  
15  
60  
75  
75  
53  
53  
18  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
4.5 Fig.6  
4.5 Fig.7  
4.5 Fig.7  
4.5 Fig.9  
4.5 Fig.9  
4.5 Fig.6  
4.5 Fig.8  
4.5 Fig.8  
4.5 Fig.8  
4.5 Fig.8  
4.5 Fig.8  
4.5 Fig.8  
t
PHL/ tPLH propagation delay  
WE to Qn  
t
PHL/ tPLH propagation delay  
Dn to Qn  
tPZH/ tPZL 3-state output enable time  
RE to Qn  
t
PHZ/ tPLZ 3-state output disable time  
RE to Qn  
t
THL/ tTLH output transition time  
tW  
tsu  
tsu  
th  
write enable pulse width  
LOW  
18  
12  
12  
5
9
23  
15  
15  
5
27  
18  
18  
5
set-up time  
Dn to WE  
4
set-up time  
WA, WB to WE  
2  
1  
0
hold time  
Dn to WE  
th  
hold time  
5
5
5
WA, WB to WE  
tlatch  
latch time  
25  
11  
31  
38  
WE to RA, RB  
December 1990  
7

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