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74HC40105

更新时间： 2024-01-20 12:31:58
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
25页 203K
描述
4-bit x 16-word FIFO register

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74HC40105 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, MO-153, SOT-403-1, TSSOP-16针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.27
Is Samacsys：N最长访问时间：600 ns
周期时间：71.428 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e4长度：5 mm
内存密度：64 bit内存宽度：4
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：16字数：16 words
字数代码：16工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16X4可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：4.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

74HC40105 数据手册

 浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第4页浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第5页浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第6页浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第8页浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第9页浏览型号74HC40105的Datasheet PDF文件第10页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
4-bit x 16-word FIFO register  
74HC/HCT40105  
DC CHARACTERISTICS FOR 74HC  
For the DC characteristics see “74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Family Specifications”.  
Output capability: standard  
ICC category: MSI  
AC CHARACTERISTICS FOR 74HC  
GND = 0 V; tf = tf = 6 ns; CL = 50 pF  
Tamb (°C)  
TEST CONDITIONS  
74HC  
SYMBOL PARAMETER  
UNIT  
ns  
WAVEFORMS  
VCC  
(V)  
+25  
−40 to +85 −40 to +125  
min. typ. max. min. max. min. max.  
tPHL/ tPLH propagation delay  
MR to DIR, DOR  
52  
19  
15  
52  
19  
15  
55  
20  
16  
175  
35  
220  
44  
265  
53  
2.0 Fig.8  
4.5  
30  
37  
45  
6.0  
tPHL  
propagation delay  
SI to DIR  
210  
42  
265  
53  
315  
63  
ns  
2.0 Fig.6  
4.5  
36  
45  
54  
6.0  
tPHL  
propagation delay  
SO to DOR  
210  
42  
265  
53  
315  
63  
ns  
2.0 Fig.9  
4.5  
36  
45  
54  
6.0  
t
PHL/ tPLH propagation delay  
116 400  
500  
100  
85  
600  
120  
102  
ns  
2.0 Fig.14  
4.5  
SO to Qn  
42  
34  
80  
68  
6.0  
tPLH  
propagation delay/  
ripple through delay  
SI to DOR  
564 2000  
205 400  
165 340  
701 2500  
255 500  
204 425  
2500  
500  
425  
3125  
625  
532  
190  
38  
3000 ns  
600  
2.0 Fig.10  
4.5  
510  
6.0  
tPLH  
propagation delay/  
bubble-up delay  
SO to DIR  
3750 ns  
750  
2.0 Fig.7  
4.5  
638  
6.0  
t
t
t
PZH/ tPZL 3-state output enable time  
41  
15  
12  
41  
15  
12  
19  
7
150  
30  
225  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
2.0 Fig.16  
4.5  
OE to Qn  
26  
33  
38  
6.0  
PHZ/ tPLZ 3-state output disable  
140  
28  
175  
35  
210  
42  
2.0 Fig.16  
4.5  
time  
OE to Qn  
24  
30  
36  
6.0  
THL/ tTLH output transition time  
75  
95  
110  
22  
2.0 Fig.14  
4.5  
15  
19  
6
13  
16  
19  
6.0  
tW  
SI pulse width  
HIGH or LOW  
80  
16  
14  
19  
7
100  
20  
120  
24  
2.0 Fig.6  
4.5  
6
17  
20  
6.0  
1998 Jan 23  
7
1...45678910...25

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