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74HC2G00

更新时间: 2024-01-05 20:21:22
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 83K
描述
Dual 2-input NAND gate

74HC2G00 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SON
包装说明:VSON, SOLCC8,.11,20针数:8
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.47系列:HC/UH
JESD-30 代码:R-PDSO-N8JESD-609代码:e4
长度:3 mm负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE最大I(ol):0.004 A
湿度敏感等级:1功能数量:2
输入次数:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSON
封装等效代码:SOLCC8,.11,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:22 ns传播延迟(tpd):110 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:NO
座面最大高度:0.5 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:2 mm
Base Number Matches:1

74HC2G00 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
74HC2G00; 74HCT2G00  
Dual 2-input NAND gate  
Product specification  
2003 Feb 12  
Supersedes data of 2002 Jul 10  

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