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74ABT823D,602 PDF预览

74ABT823D,602

更新时间： 2024-01-12 23:51:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 驱动信息通信管理光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
17页 141K
描述
74ABT823 - 9-bit D-type flip-flop with reset and enable; 3-state SOP 24-Pin

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74ABT823D,602 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOP包装说明：SOP, SOP24,.4
针数：24Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.38
其他特性：WITH CLEAR AND CLOCK ENABLE系列：ABT
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e4
长度：15.4 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER最大频率@ Nom-Sup：125000000 Hz
最大I（ol）：0.064 A湿度敏感等级：1
位数：9功能数量：1
端口数量：2端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP24,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V最大电源电流（ICC）：34 mA
传播延迟（tpd）：6.8 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

74ABT823D,602 数据手册

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74ABT823  
NXP Semiconductors  
9-bit D-type flip-flop with reset and enable; 3-state  
8. Recommended operating conditions  
Table 5.  
Operating conditions  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol  
VCC  
VI  
Parameter  
Conditions  
Min  
4.5  
0
Typ  
Max  
5.5  
VCC  
-
Unit  
V
supply voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
input voltage  
V
VIH  
HIGH-level input voltage  
LOW-level Input voltage  
HIGH-level output current  
LOW-level output current  
input transition rise and fall rate  
ambient temperature  
2.0  
-
V
VIL  
0.8  
-
V
IOH  
32  
-
mA  
mA  
ns/V  
C  
IOL  
64  
5
t/V  
Tamb  
0
in free air  
40  
+85  
9. Static characteristics  
Table 6.  
Static characteristics  
Symbol Parameter  
Conditions  
25 C  
Min Typ Max  
40 C to +85 C Unit  
Min  
Max  
VIK  
input clamping voltage VCC = 4.5 V; IIK = 18 mA  
1.2 0.9  
-
1.2  
-
V
VOH  
HIGH-level output  
voltage  
VI = VIL or VIH  
VCC = 4.5 V; IOH = 3 mA  
VCC = 5.0 V; IOH = 3 mA  
VCC = 4.5 V; IOH = 32 mA  
2.5  
3.0  
2.0  
-
2.9  
3.4  
2.4  
-
-
-
2.5  
3.0  
2.0  
-
-
V
V
V
V
-
-
VOL  
LOW-level output  
voltage  
VCC = 4.5 V; IOL = 64 mA;  
VI = VIL or VIH  
0.42 0.55  
0.55  
[1]  
[2]  
VOL(pu)  
power-up LOW-level  
output voltage  
VCC = 5.5 V; IO = 1 mA;  
VI = GND or VCC  
-
0.13 0.55  
-
0.55  
V
II  
input leakage current VCC = 5.5 V; VI = VCC or GND  
-
-
0.01 1.0  
5.0 100  
-
-
1.0 A  
100 A  
IOFF  
power-off leakage  
current  
VCC = 0 V; VI or VO 4.5 V  
IO(pu/pd)  
IOZ  
power-up/power-down VCC = 2.0 V; VO = 0.5 V;  
output current  
-
5.0 50  
-
50  
A  
VI = GND or VCC; OE HIGH  
VCC = 5.5 V; VI = VIL or VIH  
VO = 2.7 V  
OFF-state output  
current  
-
-
-
5.0  
50  
-
-
-
50  
50  
50  
A  
A  
A  
VO = 0.5 V  
5.0 50  
ILO  
output leakage current HIGH-state; VO = 5.5 V;  
CC = 5.5 V; VI = GND or VCC  
5.0  
50  
V
[3]  
IO  
output current  
supply current  
VCC = 5.5 V; VO = 2.5 V  
VCC = 5.5 V; VI = GND or VCC  
outputs HIGH-state  
180 50  
50  
180  
50  
mA  
ICC  
-
-
-
0.5  
27  
250  
34  
-
-
-
250  
34  
A  
mA  
A  
outputs LOW-state  
outputs disabled  
0.5  
250  
250  
74ABT823  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2011. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 4 — 7 November 2011  
6 of 17  
 
 
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