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73M2901CE-IGV/F

更新时间： 2024-02-20 11:14:42

品牌	Logo	应用领域
东电化 - TDK		电信电信集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	130K
描述
Modem, PQFP32,

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技术参数
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73M2901CE-IGV/F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFP, TQFP32,.35SQ,32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	7.71	JESD-30 代码：	S-PQFP-G32
端子数量：	32	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	TQFP32,.35SQ,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Modems	最大压摆率：	15.5 mA
表面贴装：	YES	电信集成电路类型：	MODEM
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

73M2901CE-IGV/F 数据手册

73M2901CE

V.22bis Single Chip Modem

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

RATING

Supply Voltage

-0.5V to +4.0V

Pin Input Voltage (except OSCIN)

Pin Input Voltage (OSCIN)

Storage Temperature

-0.5V to + 6.0V

-0.5V to VPD + 0.5V

-55ºC to 150ºC

NOTE: This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections

of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods of time may affect reliability.

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

PARAMETER

RATING

Supply Voltage

2.7V – 3.6V

Oscillator Frequency

Operating Temperature

11.0592MHz +/- 50ppm

-40ºC to 85ºC

RECEIVER

PARAMETER

CONDITIONS

Tip and Ring

0.2KHz – 4.0KHz

RXA

MIN

-43

NOM

MAX

UNIT

dBm0^*

Carrier detect On

Carrier detect Off

Carrier Detect Hysteresis

Receive Level

-48

-43

-9

dBm0^*

Idle channel noise

Input impedance

-70

-65

150

18.8

0.587

Receive Gain Boost

S110 bit 5=1, CID mode

19.3

0.622

-70

19.8

0.658

-50

Max Input Level at RXA

Vref=1.25V

Vpk

1KHz 450mVpk on RXA

THD=2^ndand 3^rdharmonic

Total Harmonic Distortion

(THD)

^*dBm0 refers to the TDK recommended line interface (8dB loss from transmit pins to the line and 5dB loss from the line to the receiver pin). Results

may vary depending on the selected DAA components. 0dBm=0.775mV_rms; dBm=10log(V_rms²/(1mW)(600W))

Ó 2004 TDK Semiconductor Corporation

04/15/04- V2.2.1

1 2 3 456 7 8...19

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