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71V416YL12YGI

更新时间： 2024-02-10 20:34:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 84K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44

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71V416YL12YGI 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J44
JESD-609代码：e3内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ44,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.18 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

71V416YL12YGI 数据手册

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IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM  
4 Meg (256K x 16-Bit)  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics  
(VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)  
71V416S/L10(2)  
71V416S/L12  
Min. Max.  
71V416S/L15  
Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACS  
Read Cycle Time  
10  
12  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
Chip Select Access Time  
10  
12  
15  
____  
____  
____  
t
10  
12  
15  
(1)  
CLZ  
____  
____  
____  
t
Chip Select Low to Output in Low-Z  
Chip Select High to Output in High-Z  
Output Enable Low to Output Valid  
Output Enable Low to Output in Low-Z  
Output Enable High to Output in High-Z  
Output Hold from Address Change  
Byte Enable Low to Output Valid  
4
4
4
(1)  
____  
____  
____  
tCHZ  
5
6
7
____  
____  
____  
tOE  
5
6
7
(1)  
(1)  
____  
____  
____  
tOLZ  
0
0
0
____  
____  
____  
t
OHZ  
OH  
BE  
5
6
7
____  
____  
____  
t
4
4
4
____  
____  
____  
t
5
6
7
(1)  
____  
____  
____  
tBLZ  
Byte Enable Low to Output in Low-Z  
Byte Enable High to Output in High-Z  
0
0
0
(1)  
____  
____  
____  
tBHZ  
5
6
7
WRITE CYCLE  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
WC  
AW  
CW  
BW  
AS  
WR  
WP  
DW  
DH  
Write Cycle Time  
10  
8
8
8
0
0
8
5
0
12  
8
8
8
0
0
8
6
0
15  
10  
10  
10  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Address Valid to End of Write  
Chip Select Low to End of Write  
Byte Enable Low to End of Write  
Address Set-up Time  
t
t
t
t
Address Hold from End of Write  
Write Pulse Width  
0
t
10  
7
t
Data Valid to End of Write  
Data Hold Time  
t
0
(1)  
OW  
t
Write Enable High to Output in Low-Z  
Write Enable Low to Output in High-Z  
3
3
3
(1)  
WHZ  
____  
____  
____  
t
6
7
7
ns  
6442 tbl 10  
NOTE:  
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.  
2. Low power 10ns (L10) speed 0ºC to +70ºC temperature range only.  
Timing Waveform of Read Cycle No. 1(1,2,3)  
tRC  
ADDRESS  
t
AA  
tOH  
tOH  
DATAOUT VALID  
DATAOUT  
PREVIOUS DATAOUT VALID  
NOTES:  
6442d06  
1. WE is HIGH for Read Cycle.  
2. Device is continuously selected, CS is LOW.  
3. OE, BHE, and BLE are LOW.  
6.42  
5
123456789

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与71V416YL12YGI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
71V416YL12YI IDT Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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71V416YL15BEG1 IDT Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48

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