是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TQFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 8.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71V2559S85PFI9 | IDT |
获取价格 |
TQFP-100, Tray |
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71V2559SA80BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-119, Tray |
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71V2559SA80BGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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71V2559SA80BQGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 |
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71V256SA10PZ8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, TSOP1-28 |
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71V256SA10PZGI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, TSOP1-28 |
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71V256SA10TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDIP28 |
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71V256SA10Y | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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71V256SA10YI | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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71V256SA10YI8 | IDT |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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