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71V2558XS166PFGI8

更新时间： 2024-01-18 19:10:35
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 567K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100

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71V2558XS166PFGI8 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：3.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100JESD-609代码：e3
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：3
端子数量：100字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.045 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：QUAD
Base Number Matches：1

71V2558XS166PFGI8 数据手册

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IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs  
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration — 128K x 36, 119 BGA  
1
2
3
4
5
6
7
DDQ  
6
4
8
16  
DDQ  
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
B
C
D
E
F
NC(2)  
ADV/LD  
2
3
2
9
NC  
NC  
CE  
NC  
NC  
2
CE  
7
A
DD  
V
12  
15  
A
A
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I/O  
P3  
I/O  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
P2  
I/O  
15  
I/O  
V
V
V
NC  
V
V
V
17  
I/O  
18  
I/O  
13  
I/O  
14  
I/O  
1
CE  
DDQ  
20  
19  
I/O  
12  
I/O  
DDQ  
10  
V
V
V
V
OE  
21  
I/O  
11  
I/O  
G
H
J
I/O  
NC(2)  
I/O  
2
BW  
3
BW  
22  
I/O  
23  
I/O  
SS  
SS  
9
I/O  
8
I/O  
V
V
V
V
V
V
R/W  
DDQ  
24  
DD  
DD  
V
DD  
DDQ  
V
DD(1)  
SS  
DD(1)  
SS  
V
V
26  
I/O  
6
I/O  
7
I/O  
K
L
I/O  
CLK  
NC  
25  
I/O  
27  
28  
4
I/O  
5
I/O  
I/O  
4
BW  
BW1  
DDQ  
29  
SS  
V
SS  
SS  
SS  
3
I/O  
DDQ  
1
M
N
P
R
T
I/O  
I/O  
I/O  
V
V
V
V
CEN  
30  
SS  
V
1
A
2
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
31  
I/O  
P4  
SS  
0
A
0
V
I/OP1  
,
5
A
DD  
11  
VDD(1)  
13  
A
NC  
NC  
DDQ  
V
NC  
LBO  
(5)  
10  
A
14  
NC  
A
A
NC  
NC/ZZ  
(3)  
(3)  
(3)  
(3)  
(3,4)  
DDQ  
V
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
NC/TDO  
U
V
NC/TRST  
4875 drw 13a  
Top View  
Pin Configuration — 256K x 18, 119 BGA  
1
2
3
4
5
6
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DDQ  
6
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DDQ  
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
B
C
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F
NC(2)  
ADV/LD  
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2
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NC  
NC  
CE2  
NC  
NC  
NC  
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CE  
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V
13  
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A
A
A
8
I/O  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
P1  
I/O  
NC  
V
V
V
NC  
V
V
V
V
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I/O  
7
I/O  
NC  
1
CE  
NC  
DDQ  
6
I/O  
DDQ  
5
V
NC  
V
OE  
10  
I/O  
G
H
J
NC  
I/O  
NC  
I/O  
NC(2)  
BW  
2
11  
SS  
SS  
4
I/O  
NC  
V
V
V
V
V
V
NC  
DDQ  
R/W  
DD(1)  
SS  
DD(1)  
SS  
DDQ  
DD  
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DD  
V
DD  
V
V
V
V
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I/O  
K
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NC  
I/O  
I/O  
CLK  
NC  
NC  
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SS  
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V
I/O  
NC  
NC  
BW  
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DDQ  
14  
I/O  
SS  
SS  
SS  
SS  
DDQ  
V
M
N
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V
V
V
V
V
V
V
CEN  
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I/O  
SS  
SS  
1
A
1
NC  
I/O  
NC  
NC  
P2  
I/O  
0
A
0
I/O  
NC  
NC  
NC  
DDQ  
,
5
DD  
V
12  
A
A
V
DD(1)  
NC  
LBO  
(5)  
10  
15  
A
14  
11  
A
A
NC  
A
NC/ZZ  
DDQ  
(3)  
(3)  
(3)  
(3)  
(3,4)  
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
NC/TDO  
U
V
NC/TRST  
V
4875 drw 13b  
TopView  
NOTES:  
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to VDD as long as the input voltage is ≥ VIH.  
2. G4 and A4 are reserved for future 8M and 16M respectively.  
3. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.  
4. TRST is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
5. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) on the latest die revision.  
6.42  
7
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
71V2558XS200BGG IDT

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 		ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BG
71V2558XS200BQ IDT

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 		ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165
71V2558XS200BQG8 IDT

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 		ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA165
71V2558XS200PF IDT

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 		TQFP-100, Tray
71V2558XS200PFG IDT

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71V2558XSA100BG IDT

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 		ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119
71V2558XSA100BGG IDT

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