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71V2558XS133BGG

更新时间： 2024-02-20 07:19:13

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	567K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

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71V2558XS133BGG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119	针数：	119
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.3
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
长度：	22 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	119	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.36 mm
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

71V2558XS133BGG 数据手册

IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs

with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs

Commercial and Industrial Temperature Ranges

RecommendedOperating

TemperatureandSupplyVoltage

Grade

Temperature⁽¹⁾

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

VDDQ

Commercial

Industrial

3.3V±5%

2.5V±5%

4875 tbl 05

NOTES:

1. TA is the "instant on" case temperature.

Pin Configuration — 128K x 36

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

I/OP3

I/O16

I/O17

I/OP2

I/O15

I/O14

VDDQ

DDQ

VSS

I/O18

I/O19

I/O20

I/O21

I/O13

I/O12

I/O11

I/O10

VSS

VDDQ

DDQ

I/O22

I/O9

I/O8

I/O23

(1)

VDD

(1)

VDD

(3)

VSS

VSS/ZZ

I/O24

I/O25

I/O7

I/O6

VDDQ

VSS

I/O26

I/O27

I/O28

I/O29

I/O

VSS

VDDQ

DDQ

I/O30

I/O31

I/OP4

I/O

I/OP1

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

4875 drw 02

Top View

TQFP

NOTES:

1. Pins 14, 16 and 66 do not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage is ≥ VIH.

2. Pins 83 and 84 are reserved for future 8M and 16M respectively.

3. Pin 64 does not have to be connected directly to VSS as long as the input voltage is ≤ VIL; on the latest die revision this

pin supports ZZ (sleep mode).

6.42

1 2 3 456 7 8...28

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
71V2558XS133BGG8	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119	获取价格
71V2558XS133BGGI	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BG	获取价格
71V2558XS133BGGI8	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119	获取价格
71V2558XS133BQ	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165	获取价格
71V2558XS133BQG8	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165	获取价格
71V2558XS133BQGI	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-165	获取价格

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