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71V2558XS133BGG

更新时间: 2024-02-25 11:51:34
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艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 567K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119

71V2558XS133BGG 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-119针数:119
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.3
最长访问时间:4.2 ns其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e1
长度:22 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.36 mm
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.3 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71V2558XS133BGG 数据手册

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IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs  
with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
FunctionalBlockDiagram  
128Kx36 BIT  
MEMORY ARRAY  
LBO  
Address A [0:16]  
D
D
Q
Q
Address  
CE1, CE2, CE2  
R/W  
CEN  
Control  
ADV/LD  
BWx  
DI  
DO  
D
Q
Control Logic  
Clk  
Mux  
Sel  
D
Output Register  
Q
Clock  
Gate  
OE  
,
4875 drw 01a  
TMS  
TDI  
TCK  
Data I/O [0:31],  
I/O P[1:4]  
JTAG  
(SA Version)  
TDO  
TRST  
(optional)  
6.42  
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