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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.4 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 5 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 2.5,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.04 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71V2558SA100BG | IDT | PBGA-119, Tray |
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| 71V2558SA100BG8 | IDT | PBGA-119, Reel |
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| 71V2558SA100BGG | IDT | ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA- |
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| 71V2558SA100BQGI8 | IDT | ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| 71V2558SA100BQI | IDT | ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FPBGA-165 |
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| 71V2558SA133BQGI8 | IDT | ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165 |
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