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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 17.9324 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度： | 3.556 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.5184 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7164L35YGI | IDT | CMOS Static RAM 64K |
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| 7164L35YGI8 | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 |
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| 7164L45DB | IDT | IC 8K X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28, Static RAM |
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| 7164L45DG8 | IDT | CMOS Static RAM 64K |
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| 7164L45DG88 | IDT | CMOS Static RAM 64K |
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| 7164L45DGB | IDT | Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, GREEN, CERAMIC, DIP-28 |
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