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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SB |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.07 |
| 最长访问时间： | 45 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 60.96 mm |
| 内存密度： | 32768 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 4KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 4.826 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7134LA45F | IDT | Multi-Port SRAM, 4KX8, 45ns, CMOS, CQFP48 |
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| 7134LA45FB | IDT | Multi-Port SRAM, 4KX8, 45ns, CMOS, CQFP48 |
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| 7134LA45JB8 | IDT | Multi-Port SRAM, 4KX8, 45ns, CMOS, PQCC52 |
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| 7134LA45L48GB8 | IDT | Multi-Port SRAM, 4KX8, 45ns, CMOS, CQCC48 |
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| 7134LA45L52B | IDT | Memory IC |
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| 7134LA45P | IDT | PDIP-48, Tube |
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