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71256SA25PZI

更新时间： 2024-02-10 15:52:59

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	81K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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技术参数
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71256SA25PZI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.145 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

71256SA25PZI 数据手册

IDT71256SA

CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Timing Waveform of Read Cycle No. 1⁽¹⁾

tRC

ADDRESS

tAA

tOE

(5)

tOLZ

(5)

(3)

tOHZ

tACS

(5)

tCLZ

tCHZ

HIGH IMPEDANCE

tPU

DATAOUT

DATA _OUTVALID

tPD

ICC

ISB

VCC SUPPLY

CURRENT

2948 drw 05

Timing Waveform of Read Cycle No. 2^(1,2,4)

tRC

ADDRESS

tAA

tOH

DATAOUT VALID

DATAOUT

PREVIOUS DATAOUT VALID

2948 drw 06

NOTES:

1. WE is HIGH for Read Cycle.

2. Device is continuously selected, CS is LOW.

3. Address must be valid prior to or coincident with the later of CS transition LOW; otherwise tAA is the limiting parameter.

4. OE is LOW.

5. Transition is measured ±200mV from steady state.

6.42

1 2 3 456 7 8

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