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71256SA25PZI

更新时间： 2024-01-09 02:53:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 81K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

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71256SA25PZI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.1Is Samacsys：N
最长访问时间：25 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.145 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL宽度：8 mm
Base Number Matches：1

71256SA25PZI 数据手册

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IDT71256SA  
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
PinConfigurations  
Symbol  
Rating  
Value  
Unit  
1
28  
27  
26  
25  
24  
VCC  
WE  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
14  
12  
CC  
V
Supply Voltage  
-0.5 to +7.0  
V
2
3
Relative to GND  
7
6
5
4
3
2
1
0
A
A
13  
8
TERM  
V
CC  
Terminal Voltage  
Relative to GND  
-0.5 to V +0.5  
V
4
5
A
A
9
6
23  
22  
11  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
-55 to +125  
-55 to +125  
1.0  
oC  
oC  
W
BIAS  
T
SO28-5  
P28-2  
P28-1  
7
OE  
STG  
T
8
21  
20  
A
10  
9
CS  
T
P
10  
11  
12  
13  
14  
19  
18  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
7
0
1
2
6
5
4
3
OUT  
I
DC Output Current  
50  
mA  
17  
16  
15  
2948 tbl 02  
NOTE:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and  
functional operation of the device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure  
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect  
reliability.  
GND  
,
2948 drw 02  
DIP/SOJ  
Top View  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
1
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
A
10  
OE  
CS  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O3  
GND  
I/O  
I/O  
I/O  
A11  
Truth Table(1,2)  
7
A
9
6
A8  
Function  
I/O  
CS  
OE  
WE  
A13  
5
WE  
4
OUT  
DATA  
L
L
H
Read Data  
Write Data  
High-Z Outputs Disabled  
VCC  
SO28-8  
A14  
IN  
DATA  
L
X
H
X
X
L
2
A
12  
2
,
3
A
A
A
A
A
7
6
5
4
3
1
L
H
4
0
5
A0  
A1  
A
2
SB  
H
X
High-Z Deselected - Standby (I )  
6
7
8
(3)  
HC  
SB1  
)
V
X
High-Z Deselected - Standby (I  
2948 drw 02a  
2948 tbl 03  
NOTES:  
TSOP  
Top View  
1. H = VIH, L = VIL, x = Don't care.  
2. VLC = 0.2V, VHC = VCC –0.2V.  
3. Other inputs ≥VHC or ≤VLC.  
RecommendedDCOperating  
Conditions  
RecommendedOperating  
TemperatureandSupplyVoltage  
Symbol  
Parameter  
Min. Typ.  
Max.  
5.5  
0
Unit  
V
Grade  
Commercial  
Industrial  
Temperature  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
GND  
Vcc  
CC  
V
Supply Voltage  
4.5  
0
5.0  
0V  
4.5V ± 5.5V  
4.5V ± 5.5V  
GND Ground  
0
V
0V  
____  
IH  
CC  
V
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
V
+0.5  
0.8  
V
2948 tbl 01  
-0.5(1)  
V
____  
IL  
V
2948 tbl 04  
NOTE:  
1. VIL (min.) = –1.5V for pulse width less than 10ns, once per cycle.  
2
12345678

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