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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.015 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.145 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71256TTSA25PZG | IDT | Application Specific SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28 |
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| 71256TTSA25PZGI | IDT | Application Specific SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28 |
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| 71256TTSA25Y | IDT | Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28 |
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| 71256TTSA25YG | IDT | Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 |
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| 71256TTSA25YGI | IDT | Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28 |
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| 71259-004HLF | AMPHENOL | Board Connector, LEAD FREE |
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