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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.53 |
| 最长访问时间： | 12 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 50 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V9199L12PFG8 | IDT | Application Specific SRAM, 128KX9, 12ns, CMOS, PQFP100 |
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| 70V9199L12PFGI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V9199L6PF | IDT | Application Specific SRAM, 128KX9, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| 70V9199L6PFG | IDT | Application Specific SRAM, 128KX9, 6.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| 70V9199L7PF | IDT | TQFP-100, Tray |
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| 70V9199L7PFG8 | IDT | TQFP-100, Reel |
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