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70V7519S166BFI

更新时间： 2024-02-17 11:35:42
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT /
页数 文件大小 规格书
22页 226K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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70V7519S166BFI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：PQFP
包装说明：PLASTIC, QFP-208针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.29
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：166 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G208
JESD-609代码：e0长度：28 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FQFP
封装等效代码：QFP208,1.2SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.1 mm
最大待机电流：0.04 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.83 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：28 mm
Base Number Matches：1

70V7519S166BFI 数据手册

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IDT70V7519S  
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM  
Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Timing Waveform of Write with Address Counter Advance  
(Flow-through or Pipelined Inputs)(1,6)  
t
CYC2  
tCH2  
tCL2  
CLK  
tSA  
tHA  
An  
ADDRESS  
INTERNAL(3)  
ADDRESS  
An(5)  
An + 4  
An + 2  
An + 1  
An + 3  
tSAD tHAD  
ADS  
tSCN tHCN  
CNTEN  
t
SD tHD  
Dn + 4  
Dn + 1  
Dn + 3  
Dn  
Dn + 1  
Dn + 2  
DATAIN  
WRITE  
EXTERNAL  
ADDRESS  
WRITE  
WITH COUNTER  
WRITE  
COUNTER HOLD  
WRITE WITH COUNTER  
5618 drw 18  
Timing Waveform of Counter Repeat for Flow Through Mode(2,6,7)  
tCYC2  
CLK  
tSA  
tHA  
An  
ADDRESS  
INTERNAL(3)  
ADDRESS  
An+2  
An+1  
An+2  
An+2  
An  
An  
An+1  
An+2  
tSAD tHAD  
ADS  
tSW tHW  
R/W  
tSCN tHCN  
CNTEN  
(4)  
REPEAT  
tHRPT  
tSRPT  
tSD  
tHD  
D3  
D2  
D0  
D1  
DATAIN  
tCD1  
An  
An+1  
An+2  
An+2  
DATAOUT  
,
ADVANCE  
COUNTER  
WRITE TO  
An+2  
ADVANCE  
HOLD  
REPEAT  
READ LAST  
ADS  
ADDRESS  
An  
ADVANCE  
COUNTER  
READ  
WRITE TO  
ADS  
ADDRESS  
An  
ADVANCE  
COUNTER  
READ  
HOLD  
COUNTER  
READ  
COUNTER  
WRITE TO  
An+1  
COUNTER  
WRITE TO  
An+2  
An+1  
An+2  
An+2  
5618 drw 19  
NOTES:  
1. CE0, BEn, and R/W = VIL; CE1 and REPEAT = VIH.  
CE0, BEn = VIL; CE1 = VIH.  
2.  
3. The "Internal Address" is equal to the "External Address" when ADS = VIL and equals the counter output when ADS = VIH.  
4. No dead cycle exists during REPEAT operation. A READ or WRITE cycle may be coincidental with the counter REPEAT cycle: Address loaded by last valid  
ADS load will be accessed. For more information on REPEAT function refer to Truth Table II.  
5. CNTEN = VIL advances Internal Address from ‘An’ to ‘An +1’. The transition shown indicates the time required for the counter to advance. The ‘An +1’Address is  
written to during this cycle.  
6. The counter includes bank address and internal address. The counter will advance across bank boundaries. For example, if the counter is in Bank 0, at address  
FFFh, and is advanced one location, it will move to address 0h in Bank 1. By the same token, the counter at FFFh in Bank 63 will advance to 0h in Bank 0.  
7. For Pipelined Mode user should add 1 cycle latency for outputs as per timing waveform of read cycle for pipelined operations.  
6.42  
18  
1...1516171819202122

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
70V7519S166DR IDT HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

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