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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, | 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 3.6 ns | JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 18 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 256 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX18 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 17 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V7319S166BCG1 | IDT | Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.4 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE |
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| 70V7319S166BCG8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7319S166BCGI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7319S166BCGI8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7319S166BFG | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V7319S166BFG8 | IDT | Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA208 |
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