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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | CABGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA256,16X16,40 | 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.17 |
| Samacsys Description： | CHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM | 最长访问时间： | 12 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17 mm |
| 内存密度： | 2359296 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 256 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA256,16X16,40 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.5 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.515 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 17 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 70V658S12BF | IDT | CABGA-208, Tray |
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| 70V658S12BFG | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V658S12BFG8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V658S12BFGI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V658S12BFGI8 | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V658S12BFI | IDT | CABGA-208, Tray |
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