是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | CABGA |
包装说明: | 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, BGA-256 | 针数: | 256 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 3.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 256 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX18 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA256,16X16,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 3.15 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.4 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 17 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V5388S166BG | IDT |
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PBGA-272, Tray |
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70V5388S166BGG | IDT |
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Four-Port SRAM, 64KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, G |
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70V5388S166BGI | IDT |
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PBGA-272, Tray |
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70V5388S200BC8 | IDT |
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CABGA-256, Reel |
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70V5388S200BCG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA256 |
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70V5388S200BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Tray |
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70V5388S200BG8 | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Reel |
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70V5388S200BGG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GRE |
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70V631 | RENESAS |
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256K x 18 3.3V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's |
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70V631S10BCG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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