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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GREEN, BGA-272 | 针数： | 272 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 3.2 ns | 其他特性： | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B272 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 27 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 4 |
| 端子数量： | 272 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA272,20X20,50 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.54 mm |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.395 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 27 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V5388S166BGI | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Tray |
|
| 70V5388S200BC8 | IDT |
获取价格 |
CABGA-256, Reel |
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| 70V5388S200BCG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA256 |
|
| 70V5388S200BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Tray |
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| 70V5388S200BG8 | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Reel |
|
| 70V5388S200BGG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GRE |
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| 70V631 | RENESAS |
获取价格 |
256K x 18 3.3V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's |
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| 70V631S10BCG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V631S10BCG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V631S10BCGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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