是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GREEN, BGA-272 | 针数: | 272 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 3.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B272 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 27 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 272 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA272,20X20,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.54 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 3.15 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.395 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 27 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V5388S166BGI | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Tray |
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70V5388S200BC8 | IDT |
获取价格 |
CABGA-256, Reel |
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70V5388S200BCG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA256 |
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70V5388S200BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Tray |
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70V5388S200BG8 | IDT |
获取价格 |
PBGA-272, Reel |
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70V5388S200BGG | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, GRE |
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70V631 | RENESAS |
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256K x 18 3.3V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's |
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70V631S10BCG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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70V631S10BCG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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70V631S10BCGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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