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70T35L25BFG

更新时间： 2024-01-02 05:22:30

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	251K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100

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70T35L25BFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	FPBGA-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e3	长度：	10 mm
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

70T35L25BFG 数据手册

HIGH-SPEED 2.5V

8/4K x 18 DUAL-PORT

8/4K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

PRELIMINARY

IDT70T35/34L

IDT70T25/24L

Features

width to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave

select when cascading more than one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

BUSY and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

IDT70T35/34L (IDT70T25/24L)

Commercial: 20/25ns (max.)

Industrial: 25ns (max.)

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Low-power operation

IDT70T35/34L (IDT70T25/24L)

Active:200mW(typ.)

Standby: 600µW(typ.)

Fully asynchronous operation from either port

LVTTL-compatible, single 2.5V (±100mV) power supply

Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) package

and 100-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA)

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

IDT70T35/34L (IDT70T25/24L) easily expands data bus

Functional Block Diagram

R/W

UBL

(5)

(4)

I/O9R-I/O17R

I/O9L-I/O17L

I/O

Control

I/O

Control

(4)

I/O0R-I/O8R

I/O0L-I/O8L

BUSY ^(2,3)

(2,3)

BUSY

(1)

12L

(1)

12R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0L

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

INT

(3)

INTR

M/S

5639 drw 01

NOTES:

1. A12 is a NC for IDT70T34 and IDT70T24.

2. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

3. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

4. I/O0x - I/O7x for IDT70T25/24.

5. I/O8x - I/O15x for IDT70T25/24.

DECEMBER 2002

DSC-5639/2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
70T35L25BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100
70T35L25PFG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
70T35L25PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
70T35L35PF	IDT	获取价格	TQFP-100, Tray
70T3719M	RENESAS	获取价格	256K x 72 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port
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70T3719MS133BBG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 256KX72, 15ns, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, G
70T3719MS133BBGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 256KX72, 15ns, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, G
70T3719MS133BBGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 256KX72, 15ns, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76 MM PITCH, G
70T3719MS133BBI	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 256KX72, 15ns, CMOS, PBGA324, 19 X 19 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1.76

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