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7016S12PFG8

更新时间： 2022-12-29 19:55:20
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艾迪悌 - IDT /
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21页 351K
描述
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM

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7016S12PFG8 数据手册

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IDT7016S/L  
High-Speed 16K x 9 Dual-Port Static RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics Over the  
Operating Temperature and Supply Voltage Range(4)  
7016X12  
7016X15  
Com'l Only  
Com'l Only  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
SOP  
SAA  
Read Cycle Time  
12  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
t
Address Access Time  
12  
12  
15  
15  
Chip Enable Access Time(3)  
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
____  
____  
____  
____  
t
t
8
10  
____  
____  
t
3
3
____  
____  
t
3
3
Output High-Z Time(1,2)  
10  
10  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time(2)  
0
0
____  
____  
____  
____  
t
12  
15  
____  
____  
t
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)  
10  
10  
____  
____  
t
Semaphore Address Access Time  
12  
15  
ns  
3190 tbl 12a  
7016X20  
Com'l, Ind  
& Military  
7016X25  
Com'l &  
Military  
7016X35  
Com'l &  
Military  
Symbol  
READ CYCLE  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACE  
AOE  
OH  
LZ  
HZ  
PU  
PD  
SOP  
SAA  
Read Cycle Time  
20  
25  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
20  
20  
25  
25  
35  
35  
Chip Enable Access Time(3)  
Output Enable Access Time  
Output Hold from Address Change  
Output Low-Z Time(1,2)  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
t
12  
13  
20  
____  
____  
____  
t
3
3
3
____  
____  
____  
t
3
3
3
Output High-Z Time(1,2)  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
t
t
Chip Enable to Power Up Time(2)  
Chip Disable to Power Down Time(2)  
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM)  
Semaphore Address Access Time  
0
0
0
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
20  
25  
35  
____  
____  
____  
t
10  
10  
10  
____  
____  
____  
t
20  
25  
35  
ns  
3190 tbl 12b  
NOTES:  
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).  
2. Thisparameterisguaranteedbydevicecharacterizationbutnotproductiontested.  
3. To access RAM, CE = VIL and SEM = VIH. To access semaphore, CE = VIH and SEM = VIL.  
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).  
6.472  
1...45678910...21

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