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6MBP75VFN060-50

更新时间： 2024-03-03 10:11:33

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富士电机 - FUJI		栅
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IPM(Inv.+Gate Driver) P636

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6MBP75VFN060-50 数据手册

6MBP75VFN060-50

IGBT Modules

Switching time vs. Collector current (typ.)

VDC=300V,VCC=15V,Tj=25℃

10000

VDC=300V,VCC=15V,Tj=125℃

10000

1000

100

ton

toff

1000

100

150

100

150

Collector current ： IC [ A ]

Reverse recovery characteristics (typ.)

trr,Irr vs. IF

Over current protection

vs. Junction temperature (typ.) VCC=15V

500

1000

100

400

300

200

100

trr Tj=125℃

trr Tj=25℃

Irr Tj=125℃

Irr Tj=25℃

100

150

100

150

Forward current ： IF [ A ]

Junction temperature ： Tj [ ℃ ]

FM6M1597

2014/11

1...5 6 789 10

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