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6MBP75VFN060-50

更新时间： 2024-03-03 10:11:33

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富士电机 - FUJI		栅
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IPM(Inv.+Gate Driver) P636

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6MBP75VFN060-50 数据手册

6MBP75VFN060-50

IGBT Modules

■ Characteristics (Representative)

Control Circuit

●

Power supply current vs. Switching frequency

Tj= 25℃(typ.)

Input signal threshold voltage

vs. Power supply voltage (typ.)

2.5

N-side

P-side

Tc=25～125℃

Vcc=17V

Vcc=15V

Vcc=13V

Vinth(off)

Vinth(on)

1.5

Vcc=17V

Vcc=15V

Vcc=13V

0.5

Switchig frequency ： fsw [ kHz ]

Power supply voltage ： VCC [ V ]

Under voltage hysterisis

Under voltage vs. Junction temperature (typ.)

vs. Junction temperature (typ.)

0.8

0.6

0.4

0.2

80 100 120 140

100

150

Junction temperature ： Tj [ ℃ ]

Over heating characteristics

TjOH,TjH vs. VCC (typ.)

Alarm hold time vs. Power supply voltage (typ.)

200

150

100

TjOH

tALM(TjOH)

tALM(OC)

TjH

Power supply voltage ： VCC [ V ]

FM6M1597

2014/11

1 2 3 456 7 8...10

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