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6MBP35XBA120-50

更新时间： 2024-03-03 10:09:29

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富士电机 - FUJI		栅
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11页	1142K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P626

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6MBP35XBA120-50 数据手册

6MBP35XBA120-50

IGBT Modules

Reversed biased safe operating area (max.)

Transient thermal resistance (max.)

V _CC=15V,T _vj=150°C

150

100

FWD

IGBT

0.1

RBSOA

(Repetitive pulse)

0.01

0.001

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

0.01

0.1

Collector-Emitter voltage : V _CE[ V ]

Pulse width : P _W[ sec ]

Power derating for IGBT (max.)

[ per device ]

Power derating for FWD (max.)

[ per device ]

400

300

200

100

400

300

200

100

150

100

150

Case temperature : T _C[ °C ]

FM6M1929b

2023/03

1...5 6 789 10 11

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