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6MBP200XEN120-50

更新时间： 2024-04-09 19:02:32

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富士电机 - FUJI		栅
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11页	1358K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P631

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6MBP200XEN120-50 数据手册

6MBP200XEN120-50

IGBT Modules

■ Characteristics (representative)

Control circuit

●

Power supply current vs. Switching frequency (typ.)

Input signal threshold voltage

T _vj= 25°C

vs. Power supply voltage (typ.)

160

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

N-side

P-side

T_C=25～125℃

120

V_inth(off)

V_CC=17V

V_CC=15V

V_CC=13V

V_inth(on)

V_CC=17V

V_CC=15V

V_CC=13V

Switchig frequency : f _SW[ kHz ]

Power supply voltage : V _CC[ V ]

Under voltage protection level

vs. Junction temperature (typ.)

Under voltage protection hysterisis

vs. Junction temperature (typ.)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

100 120 140 160

80 100 120 140 160

Junction temperature : T _vj[ °C ]

Alarm signal hold time

Over heating characteristics

T _jOH,T _jHvs. V _CC(typ.)

vs. Power supply voltage (typ.)

200

150

100

T_jOH

t_ALM(TjOH)

t_ALM(OC)

T_jH

Power supply voltage : V _CC[ V ]

FM6M2046a

2023/03

1 2 3 456 7 8...11

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