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6MBP200XDN065-50

更新时间： 2024-04-09 18:59:35
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富士电机 - FUJI 栅
页数 文件大小 规格书
12页 1251K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P630

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6MBP200XDN065-50 数据手册

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6MBP200XDN065-50  
IGBT Modules  
■ Electrical characteristics  
● Main circuit  
T vj=25°C，V CC＝15V unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
-
-
1.0  
mA  
Collector current  
at off signal input  
Collector-Emitter  
saturation voltage  
V CE =650V  
I CES  
-
-
-
-
-
-
1.15  
-
1.50  
-
1.95  
-
2.40  
-
-
V
V
V
V
mA  
I C =  
I F =  
V CE  
200A  
200A  
-V  
Terminal  
Chip  
Terminal  
Chip  
V CE(sat)  
V F  
Forward voltage of FWD  
=
Collector current  
at off signal input  
Reverse current  
Collector-Emitter  
saturation voltage  
I CES  
I RRM  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mA  
V
V
V
V
μs  
μs  
μs  
μs  
μs  
V R =  
-V  
I C = -A  
Terminal  
Chip  
Terminal  
Chip  
V CE(sat)  
I F = -A  
Forward voltage of FWD  
V F  
-
0.5  
0.5  
-
-
-
t on  
t d(on)  
t off  
t d(off)  
t rr  
I C =  
V DC  
Switching time  
200A  
=
300V  
T vj= 150°C  
T vj=150°C  
*13  
2.0  
1.7  
0.5  
I F = 200A  
300V  
V DC  
=
Turn on time (t on) = t d(on) + t r , Turn off time (t off) = t d(off) + t f  
*13:  
● Control circuit  
T vj=25°C，V CC＝15V unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
Switching frequency (f SW) = 0～15kHz  
T C = -20～125°C  
-
-
21  
mA  
Supply current of P-side  
pre-driver (per one unit)  
Supply current of N-side  
pre-driver  
I ccp  
-
-
58  
mA  
I ccn  
1.2  
1.5  
1.4  
1.7  
1.6  
1.9  
V
V
V inth(on)  
V inth(off)  
Input signal threshold voltage  
ON  
OFF  
V in-GND  
Protection circuit  
●
T vj=25°C，V CC＝15V unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
300  
-
-
-
-
-
-
-
A
A
μs  
Over current  
protection level  
Over current protection delay time  
Inverter  
Brake  
T vj=150°C  
I OC  
t dOC  
t dSC  
4.0  
T vj=150°C  
-
1.0  
-
-
-
μs  
°C  
Short circuit protection delay time  
IGBT chips over heating  
protection temperature level  
T vj=150°C  
Surface of IGBT chips  
175  
T jOH  
T jH  
T jW  
-
20  
-
-
-
°C  
°C  
Over heating protection hysteresis  
IGBT chips warning temperature level  
150  
Surface of IGBT chips(Y)  
T jWH  
V UV  
V H  
-
10  
-
0.5  
-
12.5  
-
°C  
V
V
Warning hysteresis  
Under voltage protection level  
Under voltage protection hysteresis  
11.0  
0.2  
1.0  
t ALM(OC)  
2.0  
2.4  
ms  
ALM-GND  
t ALM(UV)  
t ALM(TjOH)  
t WNG  
T C=-20～125°C  
V
cc≧10V 3.5  
4.0  
8.0  
4.5  
ms  
ms  
ms  
Alarm signal hold time  
7.0  
9.0  
T jw operating ～  
Warning signal hold time  
WNG-GND  
cancellation  
T C=-20～125°C  
Alarm signal voltage  
Warning signal voltage  
Resistance for current limit  
14.5  
14.5  
960  
960  
-
-
-
-
15.0  
15.0  
1570  
1570  
V
V
Ω
Ω
V ALMH  
V WNGH  
R ALM  
ALM-GND, without protection  
WNG-GND, without warning  
R WNG  
FM6M2026a  
2023/03  
3
1234567...12

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