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60NM65

更新时间： 2023-12-06 20:09:03

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60NM65 数据手册

60NM65

Power MOSFET



ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

I_D=250µA, V_GS=0V

V_DS=650V, V_GS=0V

650

2.5

µA

Forward

Reverse

V_GS=+30V, V_DS=0V

+100 nA

-100 nA

Gate- Source Leakage Current

I_GSS

V_GS=-30V, V_DS=0V

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS=V_GS, I_D=250µA

V_GS=10V, I_D=30A

4.5

Static Drain-Source On-State Resistance

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance

0.065

ꢀ

C_ISS

C_OSS

C_RSS

5000

2700

190

Output Capacitance

V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge (Note 1)

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

174

V_DS=520V, V_GS=10V, I_D=60A

(Note1, 2)

Turn-ON Delay Time (Note 1)

Rise Time

V_DS=100V, V_GS=10V, I_D=60A,

R_G=25ꢀ (Note1, 2)

Turn-OFF Delay Time

Fall-Time

t_D(OFF)

t_F

468

126

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Maximum Body-Diode Continuous Current

Maximum Body-Diode Pulsed Current

I_S

I_SM

V_SD

t_rr

120

1.4

Drain-Source Diode Forward Voltage (Note 1)

Body Diode Reverse Recovery Time (Note 1)

Body Diode Reverse Recovery Charge

I_S=60A, V_GS=0V

660

µC

I_S=30A, V_GS=0V,

dI_F/dt=100A/µs (Note 1)

Q_rr

Notes: 1. Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%.

2. Essentially independent of operating ambient temperature.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 8

QW-R205-165.D

www.unisonic.com.tw

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
60NM70	UTC	N-CH	获取价格
60NT3	NAINA	Non-isolated Thyristor Module	获取价格
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60P3.0-JMCS-G-TF(N)	JST	这种JMC连接器是0.5mm间距的SMT型板对板连接器，可选择有无定位柱。与传统的JMC连	获取价格
60P4.0-JMCS-G-B-TF(N)	JST	这种JMC连接器是0.5mm间距的SMT型板对板连接器，可选择有无定位柱。与传统的JMC连	获取价格
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