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5STP45Q2800

更新时间： 2024-01-12 21:50:19

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ABB		栅极
页数	文件大小	规格书
6页	227K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP45Q2800 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	400 mA	最大直流栅极触发电压：	2.6 V
最大维持电流：	100 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X2
通态非重复峰值电流：	75000 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	5490000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	8625 A
断态重复峰值电压：	2800 V	重复峰值反向电压：	2800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP45Q2800 数据手册

5STP 45Q2800

Thermal

T_{j max}

Max. junction temperature

125°C

T_{j stg}

Storage temperature

range

-40...150°C

R_thJC

Thermal resistance

10 K/kW

5 K/kW

2 K/kW

1 K/kW

Anode side cooled

Cathode side cooled

Double side cooled

Single side cooled

Double side cooled

junction to case

R_thCH

Thermal resistance case to

heat sink

Analytical function for transient thermal impedance:

^thJC(t) = R

(1-e^{-t/t i})

i=1

R_i(K/kW)

3.27

0.736

0.661

0.02

0.312

0.5237

0.1082

0.0075

t _i(s)

Fig. 1 Transient thermal impedance junction to case.

On-state characteristic model:

VT = A + B×iT +C ×ln(iT +1) + D× IT

Valid for i_T= 500 – 15000 A

-0.096289

0.000051

0.135731

-0.001358

Fig 2. On-state characteristics.

Fig. 3 On state characteristics.

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1050-01 Sep.00

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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