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5STP50Q1800

更新时间： 2024-02-01 08:53:35

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6页	524K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP50Q1800 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	400 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	9600 A	断态重复峰值电压：	1800 V
重复峰值反向电压：	1800 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP50Q1800 数据手册

_DRM= 1800

I_T(AV)M= 6100

I_T(RMS)= 9600

Phase Control Thyristor

I_TSM

V_(T0)

r_T

= 94×10³

= 0.9

5STP 50Q1800

= 0.05

mΩ

Doc. No. 5SYA1070-01 Okt. 03

• Patented free-floating silicon technology

• Low on-state and switching losses

• Designed for traction, energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Symbol

Conditions

5STP 50Q1800

1800 V

V_DRM,V_RRMf = 50 Hz, t_p= 10 ms

V_RSM

t_p= 5 ms, single pulse

2000 V

dV/dt_crit

Exp. to 0.67 x V_DRM, T_vj= 125°C

1000 V/µs

Characteristic values

Parameter

Forward leakage current

Reverse leakage current

Symbol Conditions

I_DRMV_DRM, T_vj= 125°C

I_RRMV_RRM, T_vj= 125°C

min

typ

max

300

Unit

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

F_M

min

typ

max

108

100

Unit

Mounting force

Acceleration

Characteristic values

Parameter

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Symbol Conditions

typ

max

Unit

Weight

2.1

Housing thickness

Surface creepage distance

Air strike distance

D_S

D_a

F_M= 90 kN, T_a= 25 °C

25.5

26.5

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

12 3 4 5 6

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