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5STP38Q4200

更新时间： 2024-02-19 14:37:57

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ABB		栅极
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6页	221K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP38Q4200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	2000 V/us
最大直流栅极触发电流：	400 mA	最大直流栅极触发电压：	2.6 V
最大维持电流：	100 mA	JESD-30 代码：	O-XXDB-X2
通态非重复峰值电流：	60000 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	4275000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	6715 A
断态重复峰值电压：	4200 V	重复峰值反向电压：	4200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP38Q4200 数据手册

V_DSM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

V_T0

4200 V

4275 A

6715 A

Phase Control Thyristor

= 60000 A

5STP 38Q4200

0.95 V

0.130

r_T

Doc. No. 5SYA1051-01 Sep.00

· Patented free-floating silicon technology

· Low on-state and switching losses

· Designed for traction, energy and industrial applications

· Optimum power handling capability

· Interdigitated amplifying gate.

Blocking

Conditions

Part Number

5STP 38Q4200

5STP 38Q4000

5STP 38Q3600

V_DRM

V_RSM1

I_DRM

V_RRM

4200 V

4600 V

4000 V

4400 V

3600 V

4000 V

f = 50 Hz, t_p= 10ms

t_p= 5 ms, single pulse

V_DRM

£ 400 mA

2000 V/µs

I_RRM

V_RRM

@ Exp. to 0.67xV_DRM

T_j= 125°C

dV/dt_crit

Mechanical data

F_M

Mounting force

nom.

min.

90 kN

81 kN

max.

108 kN

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

100 m/s²

2.1 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

36 mm

15 mm

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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