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5STP24H2600

更新时间： 2024-09-28 03:04:35

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ABB		栅极
页数	文件大小	规格书
5页	216K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP24H2600 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	400 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	400 mA
最大直流栅极触发电压：	2.6 V	最大维持电流：	75 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-X4	通态非重复峰值电流：	43000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	2630000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4120 A	断态重复峰值电压：	2600 V
重复峰值反向电压：	2600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

5STP24H2600 数据手册

_DSM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

_T0

2800 V

2625 A

4120 A

Phase Control Thyristor

= 43000

5STP 24H2800

0.85 V

0.160

mΩ

Doc. No. 5SYA1047-02 Sep. 01

•

Patented free-floating silicon technology

Low on-state and switching losses

Designed for traction, energy and industrial applications

Optimum power handling capability

Interdigitated amplifying gate

Blocking

Conditions

5STP 24H2800 5STP 24H2600 5STP 24H2200

Part Number

V_DRM

V_RSM1

I_DRM

V_RRM

2800 V

3000 V

2600 V

2800 V

≤ 300 mA

2200 V

2400 V

f = 50 Hz, t_p= 10ms

t_p= 5ms, single pulse

V_DRM

T_j= 125°C

I_RRM

V_RRM

dV/dt_crit

1000 V/µs

Exp. to 0.67 x V_DRM, T_j= 125°C

Mechanical data

F_M

Mounting force

nom.

min.

50 kN

45 kN

60 kN

max.

Acceleration

Device unclamped

Device clamped

Weight

50 m/s²

100 m/s²

0.9 kg

D_S

D_a

Surface creepage distance

Air strike distance

36 mm

15 mm

ABB Semiconductors AG reserves the right to change specifications without notice.

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