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5STP33L2200

更新时间： 2024-01-23 02:37:50

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ABB		栅极
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6页	321K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP33L2200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	400 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-X4	通态非重复峰值电流：	60000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	3300000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	5880 A	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

5STP33L2200 数据手册

_DSM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

_T0

2800 V

3740 A

5880 A

Phase Control Thyristor

= 60000

5STP 33L2800

0.95 V

0.1

mΩ

Doc. No. 5SYA1011-03 Jan. 02

• Patented free-floating silicon technology

• Low on-state and switching losses

• Designed for traction, energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Symbol

Conditions

5STP 33L2800 5STP 33L2600 5STP 33L2200

V_DRM,V_RRMf = 50 Hz, t_p= 10ms

2800 V

2600 V

2200 V

V_RSM1

t_p= 5ms, single pulse

3000 V

2800 V

2400 V

dV/dt_crit

Exp. to 0.67 x V_DRM, T_j= 125°C

1000 V/µs

Characteristic values

Parameter

Forwarde leakage current

Reverse leakage current

Symbol Conditions

I_DRMV_DRM, Tj = 125°C

I_RRMV_RRM, Tj = 125°C

min

typ

max

400

Unit

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

F_M

min

typ

max

Unit

Mounting force

Acceleration

Characteristic values

Parameter

100

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Symbol Conditions

typ

1.45

max

Unit

Weight

Surface creepage distance

Air strike distance

D_S

D_a

¹⁾Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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