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5STP33L2200

更新时间： 2024-02-15 14:22:17

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ABB		栅极
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6页	321K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP33L2200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	400 mA
JESD-30 代码：	O-CEDB-X4	通态非重复峰值电流：	60000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	3300000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	5880 A	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	END	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

5STP33L2200 数据手册

5STP 33L2800

Fig. 6 Surge on-state current vs. pulse length. Half-

Fig. 7 Surge on-state current vs. number of pulses.

sine wave.

Half-sine wave, 10 ms, 50Hz.

I_G(t)

I_GM

≈ 2..5 A

≥ 1.5 I_GT

I_Gon

100 %

90 %

I_GM

di_G/dt ≥ 2 A/µs

t_r

≤ 1 µs

t_p(I_GM

)

≈ 5...20µs

di_G/dt

I_Gon

10 %

t_r

t_p(I_GM

)

t_p(I_Gon

)

Fig. 8 Recommendet gate current waveform.

Fig. 9 Max. peak gate power loss.

Fig. 10 Recovery charge vs. decay rate of on-state

Fig. 11 Peak reverse recovery current vs. decay rate

current.

of on-state current.

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1011-03 Jan. 02

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